Más pequeño, más rápido y más eficiente en términos de consumo y rendimiento, así serán los nuevos chips que lanzarán al mercado Intel, a finales de 2007, e IBM en 2008. Ambas empresas estadounidenses han llevado a la nanométrica pieza introducida en la mayoría de los aparatos eléctricos al siguiente paso evolutivo. Las dos lo han descrito como el mayor avance en el diseño del microprocesador desde los años cuarenta, cuando se introdujo el polisilicio en su fabricación por Intel.
Por cierto, el silicio, que bautiza al valle de California donde reside la industria de la alta tecnología (Silicon Valey), y hasta ahora clave en los chips, ha sido sustituido por otra aleación de metales para el nuevo producto.
Y esa es en parte la clave. El transistor medirá 45 nanómetros, frente a los 90 estándar o incluso los 65 que introdujo Intel en 2005. Esto ha sido posible porque se ha conseguido encontrar un nuevo componente de aislamiento, compuesto por una aleación de hafnio, usado sobre todo hasta ahora en la industria nuclear. Este compuesto sustituirá al dióxido de silicio para que se reduzcan las filtraciones que se han producido en los microprocesadores según se han ido haciendo más pequeños.

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